[发明专利]一种减少多晶硅制绒暗纹的制绒方法无效
| 申请号： | 201210453579.8 | 申请日： | 2012-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN102969397A | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 王敬蕊;蔡晓晨;陈锐 | 申请（专利权）人： | 国电光伏（江苏）有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;C30B33/10 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 214213 江苏省无锡市宜兴*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种减少多晶硅制绒暗纹的制绒方法，包括将多晶硅片放入含有腐蚀液的制绒槽进行制绒，所述腐蚀液包括组分HNO3、HF和缓和剂，所述缓和剂为0.02～0.03wt％的NH4F去离子水溶液，所述HNO3、HF和NH4F溶液体积比为5：1：(0.02～0.03)。本发明与现有制绒工艺相比，工艺操作简单，而且与工业通用制绒工艺具有很好的适用性；可显著减少表面制绒暗纹，硅片制绒后扩散面反射率降低0.3～1.5％；减薄量降低0.03～0.04g/片，电池转化效率提高0.13～0.15％。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 减少 多晶 硅制绒暗纹 方法 | ||
【主权项】：
一种减少多晶硅制绒暗纹的制绒方法，包括将多晶硅片放入含有腐蚀液的制绒槽进行制绒，其特征在于：所述腐蚀液包括组分HNO3、HF和缓和剂，所述缓和剂为0.02～0.03wt％的NH4F去离子水溶液，所述HNO3、HF和NH4F溶液体积比为5：1：(0.02～0.03)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
