[发明专利]一种纳米掺杂结构及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201210452796.5 申请日: 2012-11-13
公开(公告)号: CN102953048A 公开(公告)日: 2013-03-06
发明(设计)人: 马大衍;王红波;马飞;徐可为 申请(专利权)人: 西安交通大学
主分类号: C23C16/44 分类号: C23C16/44;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 汪人和
地址: 710049 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明提供一种纳米掺杂结构及其制备:1)先将纳米材料放置于原子层沉积系统反应腔内;2)用原子层沉积方法沉积厚度为1-2个循环的掺杂物材料;3)沉积厚度为X个循环的纳米材料的基体材料;4)交替循环沉积Y个周期上述2)、3)中所述掺杂物和基体材料层,X的选择根据实际掺杂比例而定,X越小掺杂比例越大,Y的选择根据实际需要的掺杂层厚度而定,Y越大掺杂层越厚,本发明采用原位原子层沉积技术,工艺过程简单,易于实现,反应温度低,适用材料范围广。
搜索关键词: 一种 纳米 掺杂 结构 及其 制备 方法
【主权项】:
一种纳米掺杂结构,其特征在于:包括纳米材料衬底(1)以及沉积于纳米材料衬底(1)上的掺杂层(4),所述掺杂层(4)包括相互层叠的若干个掺杂结构层,掺杂结构层由相互层叠的掺杂物层(2)和基体纳米材料层(3)组成。
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