[发明专利]一种一次形成太阳能电池选择性发射极的扩散方法无效
| 申请号： | 201210450644.1 | 申请日： | 2012-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN102956748A | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 房海东;姚海燕;陈锐 | 申请（专利权）人： | 国电光伏（江苏）有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/223;H01L21/228;C30B31/06 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 214213 江苏省无锡市宜兴*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种一次形成太阳能电池选择性发射极的扩散方法，包括以下步骤：步骤一、将清洗制绒后的硅片通过低温湿氧的方法在硅片表面形成一层厚度为9-13nm的氧化层，再使用腐蚀性浆料通过丝网印刷的方法，将硅片电极区域的氧化层减薄或去除，非电极区域的氧化层保持不变，然后洗去腐蚀性浆料；步骤二、将硅片放入扩散炉中进行一次扩散，使电极区域形成低方阻，非电极区域形成高方阻；步骤三、在刻蚀去边的同时去除硅片表面剩余的氧化层。本发明的优点是只需一次扩散，就使电极区域形成低方阻，非电极区域形成高方阻，最终在形成选择性发射极的同时硅片只经历一次高温，减少硅片表面的损伤，保证少子的寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 一次 形成 太阳能电池 选择性 发射极 扩散 方法 | ||
【主权项】：
一种一次形成太阳能电池选择性发射极的扩散方法，其特征在于包括以下步骤：步骤一、将清洗制绒后的硅片通过低温湿氧的方法在硅片表面形成一层厚度为9‑13nm的氧化层，再使用腐蚀性浆料通过丝网印刷的方法，将硅片电极区域的氧化层减薄或去除，非电极区域的氧化层保持不变，然后洗去腐蚀性浆料；步骤二、将硅片放入扩散炉中进行一次扩散，使电极区域形成低方阻，非电极区域形成高方阻；步骤三、在刻蚀去边同时去除硅片表面剩余的氧化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
