[发明专利]量子阱电致发光装置无效
| 申请号： | 201210442265.8 | 申请日： | 2012-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN103812005A | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 耿振民 | 申请（专利权）人： | 无锡华御信息技术有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 温子云 |
| 地址： | 214081 江苏省无锡市滨*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种量子阱电致发光装置，包括半导体本体(1)，该半导体本体具有表面发射性的包括垂直发射极层(3)，设置用于光学抽运所述垂直发射极层(3)的抽运源(4)，所述抽运源（4）具有抽运层（5），在所述抽运层（5）和发射极层（3）之间具有防护层（19），所述抽运层（5）与垂直发射极层（3）之间在垂直方向上的距离为所述防护层(19)的厚度的2-3倍，在防护层和发射极层之间具有波导层，所述波导层14包含铝-镓-砷化物，其中铝浓度大约为2-4％。 | ||
| 搜索关键词： | 量子 电致发光 装置 | ||
【主权项】：
量子阱电致发光装置，包括半导体本体(1)，该半导体本体具有‑表面发射性的包括垂直发射极层(3)，设置用于光学抽运所述垂直发射极层(3)的抽运源(4)，所述抽运源（4）具有抽运层（5）；在所述抽运层（5）和发射极层（3）之间具有防护层（19）所述抽运层（5）与垂直发射极层（3）之间在垂直方向上的距离为所述防护层(19)的厚度的2‑3倍;在防护层和发射极层之间具有波导层，所述波导层14包含铝‑镓‑砷化物，其中铝浓度大约为2‑4％。
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