[发明专利]GOI_TDDB测试电路结构有效
| 申请号： | 201210442011.6 | 申请日： | 2012-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN103811466A | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 牛刚;刘竞文;于建姝;赵晓东;段晓博 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GOI_TDDB测试电路结构，包括：衬底；多个栅氧层，形成于所述衬底上，所述栅氧层相互平行且呈指状分布；多晶硅层，沉积于所述栅氧层上，所述多晶硅层相互平行且呈指状分布；源极区和漏极区，分别位于最外侧栅氧层远离其他栅氧层的外侧衬底；STI，形成于所述衬底中，位于各个栅氧层之间以及位于栅氧层、源极区和漏极区的外侧。本发明由于采用了相互平行且呈指状分布的栅氧层和多晶硅层，在相邻栅氧层之间增加了STI，并且采用了宽度大于等于1.3um的源极区和漏极区，进而当导电沟道宽度低于65nm时可有效的保护GOI_TDDB测试电路结构中的栅氧层的形貌，进而使得GOI_TDDB测试的结果准确可靠。 | ||
| 搜索关键词： | goi_tddb 测试 电路 结构 | ||
【主权项】：
一种GOI_TDDB测试电路结构，其特征在于，所述GOI_TDDB测试电路结构包括：衬底；多个栅氧层，形成于所述衬底上，所述栅氧层相互平行且呈指状分布；多晶硅层，沉积于所述栅氧层上，所述多晶硅层相互平行且呈指状分布；源极区和漏极区，分别位于最外侧栅氧层远离其他栅氧层的外侧衬底；STI，形成于所述衬底中，位于各个栅氧层之间以及位于栅氧层、源极区和漏极区的外侧。
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