[发明专利]一种制备含碲、硒或硫半导体纳米晶的新方法

摘要

本发明特别涉及一种使用一类具有类似结构的、稳定的含膦有机化合物（如二辛基氧化膦等）作为碲粉、硒粉或硫粉的新型溶剂，并使用这种新型的碲、硒或硫溶液作为前驱体制备各种含碲、硒或硫纳米晶的方法，本方法避免了目前国际上的普遍使用三丁基膦（tributylphosphine, TBP）或三辛基膦（trioctylphosphine, TOP）溶解碲、硒或硫生成碲、硒或硫的前驱体来制备含碲、硒或硫纳米晶所带来的高成本，高危险性。合成方法操作安全，易操作，重复性好，使用的都是常规的稳定的低毒害的药品。合成的含碲、硒或硫纳米晶质量达到甚至超过使用TOP/TBP等易燃易爆化合物合成的含碲、硒或硫纳米晶质量。其在实验室以及工业生产方面都有很高的应用价值。

主权项

一种使用具有特定结构的含膦有机化合物作为碲粉、硒粉、硫粉的溶剂，低成本合成高质量含碲、含硒、含硫半导体纳米晶的方法；其特征在于，步骤如下：将碲粉、硒粉或硫粉溶解到具有特定结构的含膦有机化合物中制备碲粉、硒粉或硫粉前驱体。将这种新型的碲、硒或硫前驱体和各种盐按照一定比例混合反应制备各种含碲、硒或硫纳米晶。反应液反应1s‑3h，冷却、沉淀即得所述含碲、硒或硫半导体纳米晶；上述过程都在氮气等惰性气氛下进行。