[发明专利]一种有机修饰的疏水型纳米固体酸材料及其制备有效
| 申请号： | 201210436131.5 | 申请日： | 2012-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN103801394A | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 徐杰;石松;陈晨;王敏;郑玺;马继平 | 申请（专利权）人： | 中国科学院大连化学物理研究所 |
| 主分类号： | B01J31/02 | 分类号： | B01J31/02;C07D307/46 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人： | 马驰 |
| 地址： | 116023 *** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 一种有机修饰的疏水型纳米固体酸材料的制备，以SiO2微球为基底，在其表面上枝接酸性基团和疏水性基团；其可以采用通式AcHg-SiO2来表示，Ac为Acid的缩写，Hg为Hydrophobic group的缩写；其中Ac包括丙基磺酸基，乙基磺酸基，苯基磺酸基，四氟苯基磺酸基中的一种或两种以上，疏水性基团为甲基、乙基、丙基、乙烯基、氯丙烯基、萘基、苯基、三氟丙基、一氟苯基和五氟苯基中的一种或两种以上。该材料合成过程简单，容易控制。由于该材料同时具有酸性位和疏水的特性，因此该材料在催化方面有着广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 有机 修饰 疏水 纳米 固体 材料 及其 制备 | ||
【主权项】：
一种有机修饰的疏水型纳米固体酸材料，以SiO2微球为基底，在其表面上枝接酸性基团和疏水性的基团；其可以采用通式AcHg‑SiO2来表示，Ac为Acid的缩写，为表面上的酸性基团；Hg为Hydrophobic group的缩写，为表面上的疏水性基团；其中Ac包括丙基磺酸基、乙基磺酸基、苯基磺酸基和四氟苯基磺酸基中的一种或二种以上，疏水性基团为甲基、乙基、丙基、乙烯基、氯丙烯基、萘基、苯基、三氟丙基、一氟苯基和五氟苯基中的一种或二种以上。
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