[发明专利]在多孔基底材料上制备高致密度金属氧化物薄膜的方法

摘要

在多孔基底材料上制备高致密度金属氧化物薄膜的方法，涉及制备高致密度金属氧化物薄膜的方法的领域。本发明是要解决现有技术中在多孔基底材料上制备得到的金属氧化物薄膜致密度较低，不能满足实际应用的技术问题。本发明提供的在多孔基底材料上制备高致密度金属氧化物薄膜的方法：一、在多孔基底材料覆盖一层前驱体溶液，二、施加电场并挥发溶剂，三、烧结。本发明应用于航空、航天、机械加工和电子信息领域。

主权项

在多孔基底材料上制备高致密度金属氧化物薄膜的方法，其特征在于在多孔基底材料上制备高致密度金属氧化物薄膜的方法，具体是按以下步骤完成的：一、将多孔基底材料浸渍在前驱体溶液中，得到覆盖多孔基底材料的一层前驱体溶液；二、在25℃~80℃的温度和60%~85%的空气湿度的条件下，对步骤一得到的覆盖多孔基底材料的一层前驱体溶液在100kV/m~1000kV/m的静电场下挥发溶剂，持续时间为10min~100min，得到经电场处理的覆盖多孔基底材料的前驱体沉积层；三、将步骤二得到的经电场处理的覆盖多孔基底材料的前驱体沉积层，在700℃~1500℃的温度条件下，烧结60min~120min，即完成了在多孔基底材料上高致密度金属氧化物薄膜的制备。