[发明专利]一种量子点修饰有机无机杂化太阳能电池及其制备方法无效
申请号: | 201210430054.2 | 申请日: | 2012-11-01 |
公开(公告)号: | CN102930995A | 公开(公告)日: | 2013-02-13 |
发明(设计)人: | 梁坤;章天金;徐进明;汪竞阳;王多发;夏汉明;王晓晶 | 申请(专利权)人: | 湖北大学;武汉日新科技股份有限公司 |
主分类号: | H01G9/20 | 分类号: | H01G9/20 |
代理公司: | 武汉天力专利事务所 42208 | 代理人: | 吴晓颖;冯卫平 |
地址: | 430062 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明属于新能源技术领域,提供一种量子点修饰有机无机杂化太阳能电池及其制备方法。该量子点修饰有机无机杂化太阳能电池采用导电玻璃/FTO(掺氟的SnO2)基片作为光阳极,金电极作为光阴极,所述电池在导电玻璃/FTO基片上制备有TiO2纳米棒阵列,TiO2纳米棒阵列上生成有CdSe量子点,在CdSe/TiO2纳米棒阵列上沉积有有机聚合物P3HT,在P3HT层上沉积金电极。使用本发明太阳能电池光电转换效率有显著提高。 | ||
搜索关键词: | 一种 量子 修饰 有机 无机 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种量子点修饰有机无机杂化太阳能电池,其特征在于:该太阳能电池采用导电玻璃/FTO基片作为光阳极,金电极作为光阴极,在导电玻璃/FTO基片上制备有TiO2纳米棒阵列,所述TiO2纳米棒阵列上生成有CdSe量子点,在CdSe/TiO2纳米棒阵列上沉积有有机聚合物P3HT,在P3HT层上沉积金电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湖北大学;武汉日新科技股份有限公司,未经湖北大学;武汉日新科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210430054.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种机房排热节能装置
- 下一篇:一种侧向进给加工刀具