[发明专利]提高ITO透明导电薄膜表面功函数的方法及其应用有效
| 申请号： | 201210429478.7 | 申请日： | 2012-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN102945693A | 公开（公告）日： | 2013-02-27 |
| 发明（设计）人： | 邱勇;赵炎;段炼 | 申请（专利权）人： | 清华大学;昆山维信诺显示技术有限公司;北京维信诺科技有限公司 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;H01B13/00;H01L51/52;H01L51/54 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 寇海侠 |
| 地址： | 100084 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种通过卤化ITO以提高ITO透明导电薄膜表面功函数的方法，及该种ITO透明导电薄膜在OLED中的应用。所述方法是将过氧化物在紫外光照下产生羟基自由基，有机卤代化合物受羟基自由基攻击，卤素原子相继被羟基亲核取代，卤素自由基在ITO表面形成In-X键。所述混合溶液中的过氧化物加速了In-X键的形成，紫外光处理时间短，降低了制备成本；本发明在常温常压下即可进行反应，反应条件温和，工艺简单。制备的ITO透明导电薄膜表面功函数高。运用所述ITO透明导电薄膜的OLED，可以有效的实现空穴注入，而无需引入空穴注入层，不但简化了器件结构、降低了成本，而且还提高器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 ito 透明 导电 薄膜 表面 函数 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
一种提高ITO透明导电薄膜表面功函数的方法，其特征在于，包括如下步骤：S1：在有机卤代化合物中加入过氧化物水溶液，有机卤代化合物与过氧化物的摩尔比为1:1‑4:1，充分混合；S2：在ITO玻璃基板的ITO表面铺满步骤S1中所制的混合溶液，再置于紫外灯下进行光照；S3：取出步骤S2中紫外光处理后的ITO玻璃基板，用溶剂进行冲洗，干燥；S4：将步骤S3中处理好的ITO基板用紫外臭氧处理0‑5分钟，获得卤化ITO透明导电薄膜。
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