[发明专利]发光二极管及制造发光二极管的方法有效
| 申请号： | 201210410264.5 | 申请日： | 2012-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN103515496A | 公开（公告）日： | 2014-01-15 |
| 发明（设计）人： | 余长治;唐修穆;林孟毅 | 申请（专利权）人： | 隆达电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/20;H01L33/24;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明在此揭露一种发光二极管及制造发光二极管的方法，发光二极管包含基材、第一型半导体层、纳米柱层以及透明平坦层。第一型半导体层形成于基材上。纳米柱层形成于第一型半导体层上，纳米柱层包含多个纳米柱，每一纳米柱包含量子井结构以及第二型半导体层。量子井结构接触第一型半导体层，第二型半导体层形成在量子井结构上。透明平坦层沟填于这些纳米柱之间，并使第二型半导体层表面露出。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，其特征在于，包含：一基材；一第一型半导体层，形成于该基材上；一纳米柱层，形成于该第一型半导体层上，该纳米柱层包含多个纳米柱，每一纳米柱包含一量子井结构以及一第二型半导体层，该量子井结构接触该第一型半导体层，该第二型半导体层形成于该量子井结构上；以及一透明平坦层，沟填于所述多个纳米柱间，并使该第二型半导体层表面露出。
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