[发明专利]发光二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 201210410261.1 | 申请日： | 2012-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN103489981A | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | 余长治;唐修穆;林孟毅 | 申请（专利权）人： | 隆达电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种发光二极管及其制造方法，发光二极管不包含P型氮化镓层。此发光二极管依序包含N型半导体层、多重量子井层、P型氮化铟镓(InGaN)层以及氧化铟锡层。氧化铟锡层的晶粒尺寸介于5埃至1000埃间。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，其特征在于，包含：一N型半导体层，设置于一基板上；一多重量子井层，设置于该N型半导体层上；一P型氮化铟镓层，设置于该多重量子井层上；以及一氧化铟锡层，设置于该P型氮化铟镓层上，该氧化铟锡层的晶粒尺寸介于5埃至1000埃间。
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