[发明专利]三维非易失性存储器件及其制造方法以及存储系统

摘要

本发明公开了一种三维非易失性存储器件及其制造方法以及存储系统。所述三维非易失性存储器件包括垂直沟道层，所述垂直沟道层从衬底突出；层间绝缘层和存储器单元，所述层间绝缘层和存储器单元沿着垂直沟道层交替地层叠；以及选择晶体管，所述选择晶体管包括平面沟道层和栅绝缘层，平面沟道层中的每个与垂直沟道层中的至少一个接触并与衬底平行，栅绝缘层形成在平面沟道层之上。

主权项

一种三维非易失性存储器件，包括：多个垂直沟道层，所述多个垂直沟道层从衬底突出；多个层间绝缘层和多个存储器单元，所述多个层间绝缘层和所述多个存储器单元沿着所述多个垂直沟道层交替地层叠；以及多个选择晶体管，所述多个选择晶体管包括多个平面沟道层和栅绝缘层，所述多个平面沟道层中的每个与所述垂直沟道层中的至少一个接触并与所述衬底平行，所述栅绝缘层形成在所述多个平面沟道层之上,其中，所述多个垂直沟道层被所述栅绝缘层和所述多个平面沟道层覆盖。