[发明专利]发光二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 201210407259.9 | 申请日： | 2012-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN103489978A | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | 余长治;唐修穆;林孟毅 | 申请（专利权）人： | 隆达电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/24;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明揭露一种发光二极管及其制造方法，发光二极管依序包含基板、第一型半导体层、结构层、发光层、第二型半导体层、第一型接触垫、透明导电层及第二型接触垫。其中，结构层是由一具梯形侧壁的发光二极管堆叠结构以及多个纳米柱自梯形侧壁向外延伸的规则排列的纳米柱所构成。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，其特征在于，包含：一基板，其表面形成有一缓冲层，该基板包括有一第一区域及一第二区域；一第一型半导体层，包括有一第一部分以及一第二部分分别位于该第一区域和该第二区域；一结构层，位于该缓冲层上的该第二区域，包含：该第一型半导体层的该第二部分；一发光层，其位于该第一型半导体层的该第二部分上；以及一第二型半导体层，其位于该发光层上，其中该结构层是由一具梯形侧壁的发光二极管堆叠结构以及多个自该梯形侧壁向外延伸的规则排列的纳米柱状结构所构成；一透明导电层，其位于该结构层的第二区域中的该发光二极管堆叠结构上；一第一型接触垫，其位于该第一区域中的该第一部分的该第一型半导体层上；以及一第二型接触垫，其位于该透明导电层上。
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