[发明专利]非挥发性存储装置中的毁损位线地址的取得方法有效
| 申请号： | 201210397321.0 | 申请日： | 2012-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN103778965A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 赤荻隆男;陈敦仁 | 申请（专利权）人： | 宜扬科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/12 | 分类号： | G11C29/12 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 任默闻 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明揭露一种非挥发性存储装置中的毁损位线地址的取得方法，非挥发性存储装置包含有一存储胞元数组及横跨所述存储胞元数组的多个字元线，每一所述多个位线具有第一端及第二端，所述多个位线被区分为第一群组及第二群组，藉一检测方法是将电源电压(充电)或接地电压(放电)施予特定群组的位线，利用毁损位线无法被正常充放电的特征分两个检测阶段(开路及短路检测)来检测所述多个位线，进而可通过页面缓冲电路中的记载每一位线是否毁损的状态数据的依序读取来取得毁损位线的地址数据，而无须额外的计算程序来估算毁损位线的地址。 | ||
| 搜索关键词： | 挥发性 存储 装置 中的 毁损 地址 取得 方法 | ||
【主权项】：
一种非挥发性存储装置中的毁损位线地址的取得方法，其特征是，所述非挥发性存储装置包含有一存储胞元数组及横跨所述存储胞元数组的多个字元线，每一所述多个位线具有第一端及第二端，所述多个位线被区分为第一群组及第二群组，所述取得方法包含以下步骤：重置页面缓冲电路；进行位线毁损测试以将位线的是否毁损的状态数据纪录于所述页面缓冲电路中；依据每一存储胞元的位线的地址顺序，依序读取所述页面缓冲电路中的每一位线是否毁损的所述状态数据；及于所述状态数据为代表毁损状态的逻辑位准时闩锁对应的地址，以闩锁的地址为毁损位线的地址数据。
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