[发明专利]非挥发性存储装置中的毁损位线地址的取得方法

说明书

技术领域

本发明是关于一种内存的地址读取方法，更特别的是关于一种非挥发性存储装置中的毁损位线的地址读取方法。

背景技术

非挥发性存储装置中，因半导体制造工艺技术上的缺陷，往往可能造成位线的断裂或与邻近的位线发生短路等的情况。例如：随着非挥发性存储装置尺寸的微缩，相邻两位线会相当接近，也因此极易在制造工艺中产生位线接触窗与相邻位线过于接近导致的不当短路现象。

因此，在非挥发性存储装置中，验证操作是必要的，以确认电荷是通过程序化操作而适当地射入至内存胞元中。非挥发性存储装置通常通过验证操作程序来进行测试，以确认本体是否具有缺陷。然而，传统上，于验证程序后通常亦须经过额外的计算程序来设定出具有缺陷的存储胞元的地址，以供后续备用(redundant)存储胞元的设定，此额外的计算程序即产生耗时的缺点。

发明内容

本发明的一目的在于提出一种可快速取得毁损位线地址的读取方法。

本发明的另一目的在于缩短位线的检测时间。

为达上述目的及其他目的，本发明的非挥发性存储装置中的毁损位线地址的取得方法中，所述非挥发性存储装置包含有一存储胞元数组及横跨所述存储胞元数组的多个字元线，每一所述多个位线具有第一端及第二端，所述多个位线被区分为第一群组及第二群组，所述取得方法包含以下步骤：重置页面缓冲电路；进行位线毁损测试以将位线的是否毁损的状态数据纪录于所述页面缓冲电路中；依据每一存储胞元的位线的地址顺序，依序读取所述页面缓冲电路中的每一位线是否毁损的所述状态数据；及于所述状态数据为代表毁损状态的逻辑位准时闩锁对应的地址，以闩锁的地址为毁损位线的地址数据。

于一实施例中，于进行位线毁损测试以将位线的毁损状态纪录于所述页面缓冲电路的步骤中是包含以下步骤：自所述多个位线的第一端，对所述第一群组位线施予供应电压以进行充电程序且所述第二群组位线被施予接地电压；关闭对所述第一群组位线的充电程序，且自所述多个位线的第二端对所述多个位线施予接地电压以进行放电程序；根据所述第一群组位线具有的电压位准决定所述第一群组下的每一位线的状态，其中当位线的电压位准非为接地电压时代表所述位线具有开路毁损；自所述多个位线的第二端，对所述第二群组位线施予供应电压以进行充电程序，且自所述多个位线的第一端对所述第一群组位线施予接地电压以进行放电程序；关闭对所述第一群组位线的放电程序；及根据所述第一群组位线具有的电压位准决定所述第一群组下的每一位线的状态，其中当位线的电压位准非为接地电压时代表所述位线是与相邻的位线短路而具有短路毁损，其中，所述多个位线的第一端是接收所述非挥发性存储装置的一页面缓冲电路施予的电压，以及所述位线是否具有开路毁损的信息是记录于所述页面缓冲电路中。

于一实施例中，所述第一群组位线为奇数位线或偶数位线，所述第二群组位线是相对于所述第一群组位线而为偶数位线或奇数位线。

于一实施例中，其中于进行位线毁损测试以将位线的是否毁损的状态数据纪录于所述页面缓冲电路的步骤中更包含将第一群组位线与第二群组位线互换并重复检测方法的步骤，进一步地完成所有位线的检测。

藉此，毁损位线的地址可通过特定的检测方法而于页面缓冲电路中留下是否毁损的状态数据，进而可通过记载于页面缓冲电路中的状态数据的依序读取来取得毁损位线的地址数据，而无须额外的计算程序来估算毁损位线的地址。

附图说明

图1为本发明一实施例中毁损位线的读取方法流程图。

图2为本发明一实施例中用于取得毁损位线地址的部分电路方块图。

图3为图1中毁损位线的检测方法流程图。

图4为非挥发性存储装置的配置方块图。

图5为本发明一实施例中位线状态的示例图。

附图标号：

100        控制电路

110        列译码电路

120        内容可寻址内存

130        计数电路

200        页面缓冲电路

300        存储胞元数组

400        位线选择电路

500        字符线选择电路

T          上端

B          下端

BL         位线

PB         页面缓冲器

WL         字符线

S100~S400  步骤

S201~S211  步骤