[发明专利]具有极细间距堆叠的微电子组件

摘要

一种制造堆叠微电子组件的方法包括：提供第一微电子封装（122A），所述第一微电子封装具有第一衬底（124A）以及从所述第一衬底（124A）的表面（128A）延伸的导电柱（130A），以及提供第二微电子封装（122B），其具有第二衬底（124B）和从第二衬底（124B）的表面（126B）延伸的导电可熔块（148B）。在第一和第二衬底（124A，124B）的表面之一上固定微电子元件（154A），所述微电子元件（154A）界定从所述第一和第二衬底的固定所述微电子元件的表面之一延伸的垂直高度H1。第一衬底的导电柱（130A）的末端（131A）抵靠到第二衬底的可熔块（148B）的顶点，由此每个导电柱/可熔块组合的垂直高度等于或大于固定到所述第一和第二衬底的表面之一的所述微电子元件（154A）的垂直高度。

主权项

一种制造堆叠微电子组件的方法，包括：提供第一微电子封装，所述第一微电子封装包括第一衬底、导电柱以及导电迹线，所述第一衬底包括第一电介质层，所述导电柱的末端位于所述第一电介质层上方且与所述第一电介质层的表面相距一垂直高度，所述导电迹线沿着所述第一电介质层的所述表面延伸，其中所述导电柱具有沿垂直方向背离所述导电迹线延伸的基底，所述柱与所述迹线形成为一体；提供第二微电子封装，所述第二微电子封装包括第二衬底、导电可熔块、在所述第二衬底的支撑所述可熔块的表面暴露出来的接触以及导电迹线，所述第二衬底包括第二电介质层，所述导电可熔块的顶点位于所述第二电介质层上方且与所述第二电介质层的表面相距一垂直高度，所述导电迹线从所述接触沿着所述第二电介质层的所述表面延伸；将微电子元件固定到所述第一或第二衬底中的至少一个的所述表面之一上，使得所述第一和第二电介质层延伸超出所述微电子元件的边缘，所述微电子元件界定从所述第一或第二衬底的所述至少一个的固定了所述微电子元件的所述表面之一延伸的垂直高度；将所述第一衬底的所述导电柱末端设置成与所述第二衬底的所述可熔块的顶点毗连，且其中每个所述导电柱/可熔块组合的垂直高度等于或大于所述微电子元件的垂直高度，并且然后使所述可熔块回流以使所述柱与所述接触结合。