[发明专利]一种低残余应力的铜薄膜制备方法无效
| 申请号： | 201210384082.5 | 申请日： | 2012-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN102851645A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 唐武;王学慧 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/14 |
| 代理公司： | 成都虹桥专利事务所 51124 | 代理人： | 刘世平 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及金属薄膜的制备技术，其公开了一种新的制备工艺简便的铜薄膜制备方法，且有效控制在制备过程中产生的残余应力的大小，从而实现低残余应力的铜薄膜材料的制备。该方法应用在磁控溅射镀膜设备上，采用射频进行磁控溅射以制备铜薄膜，所述磁控溅射镀膜设备具有磁控溅射腔室，在所述磁控溅射腔室中设有磁控溅射靶；具体包括以下步骤：a.对基片进行预处理；b.将经过预处理后的基片放置在磁控溅射腔室内；c.对磁控溅射腔室进行抽真空；d.向磁控溅射腔室内通入高纯氩气；e.调节射频溅射功率和气压，对磁控溅射靶进行溅射，在基片上形成铜薄膜；f.在磁控溅射腔室冷却后，取出铜薄膜样品，进行残余应力测试。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 残余 应力 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种低残余应力的铜薄膜制备方法，应用在磁控溅射镀膜设备上，采用射频进行磁控溅射以制备铜薄膜，所述磁控溅射镀膜设备具有磁控溅射腔室，在所述磁控溅射腔室中设有磁控溅射靶；其特征在于，该制备方法包括以下步骤：a.对基片进行预处理；b.将经过预处理后的基片放置在磁控溅射腔室内；c.对磁控溅射腔室进行抽真空；d.向磁控溅射腔室内通入高纯氩气；e.调节射频溅射功率和气压，对磁控溅射靶进行溅射，在基片上形成铜薄膜；f.在磁控溅射腔室冷却后，取出铜薄膜样品，进行残余应力测试。
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