[发明专利]用于重置栅极晶体管中功函数调节的碳注入

摘要

一种方法，其包括提供具有半导体层并在所述半导体层上设置有绝缘体层的晶片。所述绝缘体层具有在其中设置的开口以暴露所述半导体层的表面，其中每个开口对应于将会成为设置在栅极堆叠下面的半导体层内的晶体管通道的位置。所述方法还包括沉积高介电常数栅极绝缘体层以覆盖所述半导体层的暴露表面和所述绝缘体层的侧面；在高介电常数栅极绝缘体层上面沉积栅极金属层；通过栅极金属层和下面的高介电常数栅极绝缘体层注入碳以在所述半导体层的上部形成碳注入区域，所述碳注入区域具有选定碳浓度以建立所述晶体管的电压阈值。

主权项

一种晶体管，其包括：半导体层，在其中形成有通道；绝缘体层，其设置在所述半导体层上；所述绝缘体层具有设置在其中的开口以暴露所述半导体层的表面，每个开口对应于将会成为设置在栅极堆叠下面的半导体层中的晶体管通道的位置；高介电常数栅极绝缘体层，其位于所述通道的上部表面上；和栅极金属层，其位于高介电常数栅极绝缘体层的上面，其中所述通道含有通过栅极金属层、高介电常数栅极绝缘体层和半导体层的表面注入的碳，以在所述通道的上部形成碳注入区域，所述碳注入区域具有基本上均匀的选择的碳浓度以建立所述晶体管的电压阈值。