[发明专利]消除充电电池记忆效应的装置无效
| 申请号： | 201210377640.5 | 申请日： | 2012-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN102856963A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 洪珍 | 申请（专利权）人： | 洪珍 |
| 主分类号： | H02J7/00 | 分类号： | H02J7/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 233000 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种消除充电电池记忆效应的装置。该消除充电电池记忆效应的装置特征包括1.2V镍镉充电电池、间歇振荡及放电电路及状态指示电路。如果镍镉充电电池在使用中放电不彻底，则会产生记忆效应，记忆效应经过长期积累就会使镍镉充电电池无法正常使用。采用本发明所述的消除充电电池记忆效应的装置，可使镍镉充电电池能够彻底放电。本发明设计的消除记忆效应的放电电路可使镍镉充电电池放电放到0.7～0.8V，这样既保证了镍镉充电电池的正确放电，又不会发生镍镉充电电池极性反转的现象，对性能“早衰”或者性能低下的镍镉充电电池有一定修复作用，使其延迟了使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 消除 充电电池 记忆 效应 装置 | ||
【主权项】：
一种消除充电电池记忆效应的装置，它由1.2V镍镉充电电池、间歇振荡及放电电路、状态指示电路组成，其特征包括：所述的间歇振荡及放电电路由NPN型晶体管VT1、电阻R1和高频变压器T组成，NPN型晶体管VT1的基极接高频变压器T的L1绕组同名端，高频变压器T的L1绕组异名端通过电阻R1接电路正极VCC, NPN型晶体管VT1的集电极接高频变压器T的L2绕组异名端，高频变压器T的L2绕组同名端接电路正极VCC，NPN型晶体管VT1的发射极接电路地GND；所述的1.2V镍镉充电电池的正极接电路正极VCC，1.2V镍镉充电电池的负极与电路地GND相连。
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