[发明专利]消除充电电池记忆效应的装置无效
| 申请号： | 201210377640.5 | 申请日： | 2012-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN102856963A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 洪珍 | 申请（专利权）人： | 洪珍 |
| 主分类号： | H02J7/00 | 分类号： | H02J7/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 233000 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 消除 充电电池 记忆 效应 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种消除充电电池记忆效应的装置，它由1.2V镍镉充电电池、间歇振荡及放电电路、状态指示电路组成，其特征包括：
所述的间歇振荡及放电电路由NPN型晶体管VT1、电阻R1和高频变压器T组成，NPN型晶体管VT1的基极接高频变压器T的L1绕组同名端，高频变压器T的L1绕组异名端通过电阻R1接电路正极VCC, NPN型晶体管VT1的集电极接高频变压器T的L2绕组异名端，高频变压器T的L2绕组同名端接电路正极VCC，NPN型晶体管VT1的发射极接电路地GND；
所述的1.2V镍镉充电电池的正极接电路正极VCC，1.2V镍镉充电电池的负极与电路地GND相连。
2.根据权利要求1所述的消除充电电池记忆效应的装置，其特征是：状态指示电路中发光二极管LED的正极接NPN型晶体管VT1的集电极，发光二极管LED的负极接电路地GND。
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