[发明专利]消除充电电池记忆效应的装置

说明书

技术领域

本发明属于电子与充电电池放电技术领域，涉及一种消除充电电池记忆效应的装置。

背景技术

如果镍镉充电电池在使用中放电不彻底，则会产生记忆效应，造成镍镉充电电池充电一次，原有电量就会减少一点，记忆效应经过长期的积累就会使镍镉充电电池无法正常使用。要消除镍镉充电电池这种记忆效应，采用本发明所述的消除充电电池记忆效应的装置，可使镍镉充电电池能够彻底放电。如果不采取特别的放电措施，镍镉充电电池会有过放电的风险，有可能使镍镉充电电池的发生极性反转。本发明设计的消除记忆效应的放电电路可使镍镉充电电池放电放到0.7～0.8V，这样既保证了镍镉充电电池的正确放电，也不会发生镍镉充电电池极性反转的现象，可对性能“早衰”或者性能低下的镍镉充电电池有一定修复作用，使其延迟了使用寿命。

以下详细说明本发明所述的消除充电电池记忆效应的装置在实施过程中所涉及的技术内容。

发明内容

发明目的及有益效果：如果镍镉充电电池在使用中放电不彻底，则会产生记忆效应，造成镍镉充电电池充电一次，原有电量就会减少一点，记忆效应经过长期的积累就会使镍镉充电电池无法正常使用。要消除镍镉充电电池这种记忆效应，采用本发明所述的消除充电电池记忆效应的装置，可使镍镉充电电池能够彻底放电。但是，如果不采取特别的放电措施，镍镉充电电池会有过放电的风险，有可能使镍镉充电电池的发生极性反转。本发明设计的消除记忆效应的放电电路可使镍镉充电电池放电放到0.7～0.8V，这样既保证了镍镉充电电池的正确放电，不会发生镍镉充电电池极性反转的现象，可对性能“早衰”或者性能低下的镍镉充电电池有一定修复作用，使其延迟了使用寿命。

电路工作原理：在消除充电电池记忆效应的装置的电路接上1.2V镍镉充电电池后，镍镉充电电池经过电阻R1和高频变压器T的L1绕组使NPN型晶体管VT1的基极—发射极导通，NPN型晶体管VT1因高频变压器T绕组的正反馈作用而很快导通，在NPN型晶体管VT1导通后趋于稳态（放电），这时高频变压器T两个绕组的交流阻抗消失，直流电阻几乎为0，这时NPN型晶体管VT1的集电极—发射极之间电压很低，不能使发光二极管LED发光。NPN型晶体管VT1的基极电压低于NPN型晶体管导通门限电压0.7V时，使得NPN型晶体管VT1截止。NPN型晶体管VT1截止的瞬间，因高频变压器T的L2绕组中的储能与镍镉充电电池电压相加而使发光二极管LED发光。在发光二极管LED发光期间，高频变压器T的L1绕组又有电流流过，使NPN型晶体管VT1再次因高频变压器T的正反馈导通，如此周而复始产生间歇振荡，其振荡频率＜1kHz。在间歇振荡及放电电路间歇振荡期间，NPN型晶体管VT1导通时高频变压器T的L2绕组积蓄电能，这时发光二极管LED不发光。当NPN型晶体管VT1截止时，高频变压器T的L2绕组储能与镍镉充电电池电压串联使发光二极管LED发光，镍镉充电电池得以间歇放电，随着镍镉电池放电其电压也逐渐减小。当镍镉充电电池电压放电电压低于NPN型晶体管导通门限电压0.7V时，发光二极管LED将不再发光，镍镉充电电池放电即告完成。

技术方案：消除充电电池记忆效应的装置，它由1.2V镍镉充电电池、间歇振荡及放电电路、状态指示电路组成，其特征包括：

间歇振荡及放电电路：由NPN型晶体管VT1、电阻R1和高频变压器T组成，NPN型晶体管VT1的基极接高频变压器T的L1绕组同名端，高频变压器T的L1绕组异名端通过电阻R1接电路正极VCC, NPN型晶体管VT1的集电极接高频变压器T的L2绕组异名端，高频变压器T的L2绕组同名端接电路正极VCC，NPN型晶体管VT1的发射极接电路地GND；

1.2V镍镉充电电池的正极接电路正极VCC，1.2V镍镉充电电池的负极与电路地GND相连。

状态指示电路：发光二极管LED的正极接NPN型晶体管VT1的集电极，发光二极管LED的负极接电路地GND。

附图说明

附图1是镍镉充电电池记忆效应消除装置在实施例中所用的电路工作原理图。

具体实施方式

按照附图1所示消除充电电池记忆效应的装置的电路工作原理图和附图说明，并且按照发明内容所述的各部分电路中元器件之间的连接关系，以及实施方式中所述的元器件技术参数要求进行实施即可实现本发明。

元器件名称及其主要技术参数