[发明专利]磁随机存取存储器单元、用于对其进行读取和写入的方法有效
| 申请号： | 201210373394.6 | 申请日： | 2012-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN103035280A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | L.隆巴尔;I.L.普雷贝亚努 | 申请（专利权）人： | 克罗科斯科技公司 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 马永利;李浩 |
| 地址： | 法国格*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及磁随机存取存储器单元、用于对其进行读取和写入的方法。本公开涉及包含磁隧道结的磁随机存取存储器（MRAM）单元，该磁隧道结包含：合成存储层；具有可逆转的感应磁化的感应层；以及位于感应层和存储层之间的隧道阻挡层；其中净局部磁杂散场耦合存储层与感应层；且其中净局部磁杂散场使得耦合感应层的净局部磁杂散场低于50Oe。本公开还涉及用于对MRAM单元进行写入和读取的方法。与常规MRAM单元相比，可以以较低消耗对公开的MRAM单元进行写入和读取。 | ||
| 搜索关键词： | 随机存取存储器 单元 用于 进行 读取 写入 方法 | ||
【主权项】：
一种包含磁隧道结的磁随机存取存储器（MRAM）单元，该磁隧道结包含：合成存储层，由具有第一存储磁化的第一铁磁层、具有第二存储磁化的第二铁磁层以及第一和第二存储层之间的间隔层形成，该间隔层磁耦合第一和第二铁磁层，使得第一存储磁化基本反平行于第二磁化而取向；感应层，具有可逆转的感应磁化；以及隧道阻挡层，位于感应层和存储层之间；该第一存储磁化引发第一局部磁杂散场且该第二存储磁化引发第二局部磁杂散场，第一和第二局部磁杂散场之间的差异对应于耦合感应层的净局部磁杂散场；其中该第一铁磁层的厚度和该第二铁磁层的厚度选择为使得耦合感应层的净局部磁杂散场低于约50 Oe。
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