[发明专利]阵列基板及其制造方法、显示装置有效
申请号: | 201210371229.7 | 申请日: | 2012-09-28 |
公开(公告)号: | CN102945846A | 公开(公告)日: | 2013-02-27 |
发明(设计)人: | 崔晓鹏;于海峰;陈曦;封宾;林鸿涛 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L29/786;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明实施例公开了一种阵列基板及其制造方法、显示装置,涉及液晶显示领域,能够有效减少TFT阵列基板制造过程中的静电击穿现象。本发明实施例的阵列基板,包括:公共电极总线和多条相互平行的公共电极线,其特征在于,所述公共电极总线包括多个间隔的栅极金属段和多个间隔的源漏极金属段,且所述源漏极金属段对应于所述栅极金属段之间的空缺位置,所述栅极金属段与所述源漏极金属段之间通过第一绝缘层隔开,对应相邻的所述栅极金属段和所述源漏极金属段之间通过过孔电连接。 | ||
搜索关键词: | 阵列 及其 制造 方法 显示装置 | ||
【主权项】:
一种阵列基板,包括公共电极总线和多条相互平行的公共电极线,其特征在于,所述公共电极总线包括多个间隔的栅极金属段和多个间隔的源漏极金属段,且所述源漏极金属段对应于所述栅极金属段之间的空缺位置,所述栅极金属段与所述源漏极金属段之间通过第一绝缘层隔开,对应相邻的所述栅极金属段和所述源漏极金属段之间通过过孔电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的