[发明专利]晶体管的形成方法

摘要

一种晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上依次形成栅介质层、位于栅介质层上的伪栅极、位于伪栅极上的掩模层，在栅介质层、伪栅极、掩模层周围的半导体衬底上形成有侧墙，其中，伪栅极包括位于栅介质层上的多晶硅层、位于多晶硅层上扩散阻挡层，扩散阻挡层用于阻挡后续离子注入的离子向多晶硅层扩散；以掩模层和侧墙为掩模，对半导体衬底进行离子注入，形成源区、漏区；在半导体衬底上形成层间介质层，层间介质层与伪栅极持平；去除伪栅极，形成沟槽；在沟槽中填充导电材料，形成栅极。多晶硅层中未掺杂离子，湿法刻蚀多晶硅层过程刻蚀速率较快，对层间介质层损失少。这样整体提高了生产效率，最终得到的晶体管性能较佳。

主权项

一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上依次形成栅介质层、位于栅介质层上的伪栅极，在栅介质层、伪栅极周围的半导体衬底上形成有侧墙，其中，所述伪栅极包括位于栅介质层上的多晶硅层、位于多晶硅层上的扩散阻挡层，所述扩散阻挡层用于阻挡后续离子注入的离子向多晶硅层扩散；以所述扩散阻挡层和侧墙为掩模，对所述半导体衬底进行离子注入，形成源区、漏区；形成所述源区、漏区后，在所述半导体衬底上形成层间介质层，所述层间介质层与所述扩散阻挡层持平；形成层间介质层后，去除所述伪栅极，形成沟槽；在所述沟槽中填充导电材料，形成栅极。