[发明专利]一种含背镀反射层的发光二极管的切割方法有效
| 申请号： | 201210361847.3 | 申请日： | 2012-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN103681980A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 杨杰 | 申请（专利权）人： | 上海蓝光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;B23K26/53 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种含背镀反射层的发光二极管的切割方法，属于半导体照明领域。该切割方法先在半导体衬底上制作多个发光二极管单元，然后于减薄后的所述半导体衬底背面制作背镀反射层，采用砂轮切割的方法去除与各该发光二极管单元相应的背镀反射层形成切割道，通过该切割道对半导体衬底进行激光内切形成变质层，最后进行裂片以完成切割。本发明提供了一种将激光内切技术应用于具有背镀反射层的发光二极管的切割方法，克服了传统切割工艺容易造成器件面积的损失或容易造成晶粒分裂的缺陷，并且提高了器件切割的良率。本发明工艺简单，适用于工业生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 含背镀 反射层 发光二极管 切割 方法 | ||
【主权项】：
一种含背镀反射层的发光二极管的切割方法，其特征在于，所述切割方法至少包括以下步骤：1）提供一半导体衬底，于所述半导体衬底的上表面制作包括多个发光二极管单元的发光二极管原件；2）于所述半导体衬底的背表面制作背镀反射层；3）采用砂轮对所述背镀反射层进行切割，以在所述背镀反射层中形成与各该发光二极管单元对应的切割道；4）通过所述切割道对所述半导体衬底进行激光内切，以在所述半导体衬底内部形成与所述切割道相对应的变质层结构；5）依据所述变质层结构对所述发光二极管原件进行裂片，以获得相互分离的多个发光二极管单元。
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