[发明专利]一种含背镀反射层的发光二极管的切割方法有效
| 申请号： | 201210361847.3 | 申请日： | 2012-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN103681980A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 杨杰 | 申请（专利权）人： | 上海蓝光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;B23K26/53 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 含背镀 反射层 发光二极管 切割 方法 | ||
1.一种含背镀反射层的发光二极管的切割方法，其特征在于，所述切割方法至少包括以下步骤：
1）提供一半导体衬底，于所述半导体衬底的上表面制作包括多个发光二极管单元的发光二极管原件；
2）于所述半导体衬底的背表面制作背镀反射层；
3）采用砂轮对所述背镀反射层进行切割，以在所述背镀反射层中形成与各该发光二极管单元对应的切割道；
4）通过所述切割道对所述半导体衬底进行激光内切，以在所述半导体衬底内部形成与所述切割道相对应的变质层结构；
5）依据所述变质层结构对所述发光二极管原件进行裂片，以获得相互分离的多个发光二极管单元。
2.根据权利要求1所述的含背镀反射层的发光二极管的切割方法，其特征在于：所述半导体衬底为蓝宝石衬底、图形蓝宝石衬底、Si衬底或SiC衬底。
3.根据权利要求1所述的含背镀反射层的发光二极管的切割方法，所述发光二极管单元为正装结构的发光二极管单元或垂直结构的发光二极管单元。
4.根据权利要求1所述的含背镀反射层的发光二极管的切割方法，其特征在于：所述背镀反射层为全方位反射镜ODR或布拉格反射镜DBR。
5.根据权利要求1所述的含背镀反射层的发光二极管的切割方法，其特征在于：所述切割道的宽度为4~50um。
6.根据权利要求1所述的含背镀反射层的发光二极管的切割方法，其特征在于：所述切割道贯穿所述背镀反射层。
7.根据权利要求1所述的含背镀反射层的发光二极管的切割方法，其特征在于：步骤2）中，在制作背镀反射层之前还包括对所述半导体衬底进行减薄的步骤。
8.根据权利要求1所述的含背镀反射层的发光二极管的切割方法，其特征在于：步骤5）中，采用刀片劈裂方式对所述发光二极管原件进行裂片。
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