[发明专利]一种纳米晶铁-镍-铬合金箔的电沉积制备方法无效
| 申请号： | 201210361436.4 | 申请日： | 2012-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN102839399A | 公开（公告）日： | 2012-12-26 |
| 发明（设计）人： | 邓姝皓;刘晗;叶晓慧;龚竹青 | 申请（专利权）人： | 中南大学 |
| 主分类号： | C25D1/04 | 分类号： | C25D1/04;C25D3/56;C25D17/10 |
| 代理公司： | 长沙市融智专利事务所 43114 | 代理人： | 颜勇 |
| 地址： | 410083 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种纳米晶铁-镍-铬合金箔的电沉积制备方法，属于电沉积合金领域，是采用电化学沉积的方法在硫酸盐-氯化物-三价铬水溶液体系中电沉积连续制备出纳米晶铁-镍-铬合金箔。本方法制取的合金箔工艺简单，电解液环保、稳定、废液易处理。合金箔中铬含量较高，其成分和厚度易于控制，表面光滑，具有优良的力学、电学、磁学及耐蚀性能，可部分替代不锈钢箔带等广泛应用于电子、通信、机电等工业领域，可作为优良的磁性材料、电池骨架材料和电磁屏蔽材料使用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 金箔 沉积 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种纳米晶铁-镍-铬合金箔的电沉积制备方法，其特征在于：采用硫酸盐-氯化物-三价铬盐水溶液体系作电解液，以金属钛为阴极，表面均布有金属氧化物的钛板为催化阳极，沉积电源为直流电源或脉冲电源；沉积工艺条件为：温度35~70℃，电解液pH值0.5~4；电解液包括下述组分，按质量体积浓度（g/L）组成：![]()
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