[发明专利]用于制造集成电路系统的方法有效
申请号: | 201210356341.3 | 申请日: | 2012-09-21 |
公开(公告)号: | CN103021921A | 公开(公告)日: | 2013-04-03 |
发明(设计)人: | 任明镇 | 申请(专利权)人: | 格罗方德半导体公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人: | 程伟;王锦阳 |
地址: | 英属开曼群*** | 国省代码: | 开曼群岛;KY |
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摘要: | 本发明提供用于制造集成电路系统的方法,其包括在一半导体衬底中及上形成集成电路。蚀刻进入半导体衬底正面的通孔以及用导电材料填充所述通孔。提供有一载体晶片,在其上具有一胶粘剂层以及在该胶粘剂层中形成一压印图案。用该带图案的胶粘剂层使该半导体衬底的正面粘合至该载体晶片。去除该半导体衬底的背面的一部分以暴露该导电材料的一部分以及使该薄化的背面附着至第二衬底。然后,使该半导体衬底自该载体晶片脱粘。 | ||
搜索关键词: | 用于 制造 集成电路 系统 方法 | ||
【主权项】:
一种用于制造集成电路系统的方法,其包含下列步骤:在一半导体衬底中及上形成集成电路;蚀刻进入该半导体衬底的正面的通孔;用一导电材料填充所述通孔;提供有一载体晶片,在其上具有一胶粘剂层;在该胶粘剂层中形成一压印图案;用该带图案的胶粘剂层使该半导体衬底的该正面粘合至该载体晶片;去除该半导体衬底的背面的一部分以暴露该导电材料的一部分;使该背面附着至第二衬底;以及使该半导体衬底自该载体晶片脱粘。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造