[发明专利]一种避免空洞的多晶硅沟槽栅极的制备方法有效
| 申请号： | 201210351692.5 | 申请日： | 2012-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN103035501A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 孙娟;郁新举 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王函 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种避免空洞的多晶硅沟槽栅极的制备方法，包括如下步骤：1)用等离子干法刻蚀在硅衬底上定义出深沟槽；2）在全硅片上生长栅极氧化膜；3）在栅极氧化膜上沉积多晶硅；4）利用深沟槽刻蚀版图涂布光刻胶及曝光；5）再利用一步产生高副产聚合物的干法刻蚀步骤，刻蚀深沟槽中的多晶硅，使空洞暴露并形成倾斜形貌；6）去除光刻胶；7）干法回刻刻蚀多晶硅，使深沟槽内多晶硅形貌形成V型形貌；8）再次沉积多晶硅，以填充深沟槽。该方法可以改善多晶硅沟道栅极填充能力，避免深沟槽填充多晶硅时形成空洞,进而可以提高器件可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 避免 空洞 多晶 沟槽 栅极 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种避免空洞的多晶硅沟槽栅极的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：1)用等离子干法刻蚀在硅衬底上定义出深沟槽；2）在全硅片上生长栅极氧化膜；3）在栅极氧化膜上沉积多晶硅；4）利用深沟槽刻蚀版图涂布光刻胶及曝光；5）再利用一步产生高副产聚合物的干法刻蚀步骤，刻蚀深沟槽中的多晶硅，使空洞暴露并形成倾斜形貌；6）去除光刻胶；7）干法回刻刻蚀多晶硅，使深沟槽内多晶硅形貌形成V型形貌；8）再次沉积多晶硅，以填充深沟槽。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹NEC电子有限公司，未经上海华虹NEC电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210351692.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：非接触式流体元器件振动检测装置
- 下一篇：热水器水箱
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
