[发明专利]一种（211）择优取向Mo薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201210351218.2 | 申请日： | 2012-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN102912304A | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 余洲;刘连;李珂 | 申请（专利权）人： | 成都欣源光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/14 |
| 代理公司： | 成都中亚专利代理有限公司 51126 | 代理人： | 王岗 |
| 地址： | 610036 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种（211）择优取向Mo薄膜的制备方法，其步骤为；（1）清洗基片：将基片在丙酮、乙醇、去离子水中各超声清洗10min，然后用氮气干燥后放入溅射真空室；（2）溅射Mo薄膜：在磁控溅射靶枪上安装高纯Mo靶，纯度达到99.99%，调整溅射靶枪到基片的距离为50mm，将真空时的本底真空抽到小于3.0×10-4Pa，通入99.995%的高纯氩气，调节溅射工作气压为0.15Pa，溅射功率为5W/cm2，待辉光稳定后，预溅射靶材10min以去除表面污染物。随后开始沉积薄膜，沉积20~40min后停止，得到具有（211）择优取向的Mo薄膜。该薄膜结晶质量高，表面形貌均匀，电阻率低，适合于用作铜铟镓硒薄膜电池的背电极层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 211 择优取向 mo 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种（211）择优取向Mo薄膜的制备方法，其特征在于：具体步骤是；（1）清洗基片：将基片在丙酮、乙醇、去离子水中各超声清洗10 min，然后用氮气干燥后放入溅射真空室；（2）溅射Mo薄膜：在磁控溅射靶枪上安装高纯Mo靶，纯度达到99.99%，调整溅射靶枪到与基片的距离为50 mm，将真空时的本底真空抽到小于3.0 ×10‑4 Pa，通入99.995%的高纯氩气，调节溅射工作气压为0.15 Pa，溅射功率为5 W/cm2，待辉光稳定后，预溅射靶材10 min以去除表面污染物；随后开始沉积薄膜，沉积20~40 min后停止，得到具有（211）择优取向的Mo薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都欣源光伏科技有限公司，未经成都欣源光伏科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210351218.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种具有抗辐射及改善皮肤水分的温和液体化妆品
- 下一篇：一种旅行药盒
- 同类专利
- 专利分类
