[发明专利]硅通孔壁上制作苯并环丁烯树脂电介质层的方法有效
| 申请号： | 201210337342.3 | 申请日： | 2012-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN102915956A | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 奚嘉;杨军;肖斐 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 卢刚 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及集成电路制造和封装技术领域，公开了一种硅通孔壁上制作苯并环丁烯BCB树脂电介质层的方法。本发明中，使用BCB树脂作为硅通孔电介质层，利用了BCB树脂良好的加工性能，采用溶液浸渍法、减压旋涂法进行通孔的填充，设备、工艺简便，与前后道工艺兼容，降低了制造成本。此外，BCB树脂具有优良的热、机械和介电性能，BCB树脂作为硅通孔内的电介质层，可以减小漏电流以及硅通孔结构中的应力，提高器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 硅通孔 壁上 制作 丁烯 树脂 电介质 方法 | ||
【主权项】：
一种硅通孔壁上制作苯并环丁烯树脂电介质层的方法，其特征在于，包含以下步骤：将苯并环丁烯BCB前体加入溶剂中，充分搅拌直至全部溶解，得到BCB前体溶液，其中，所述BCB前体的浓度为1‑30%；将所述BCB前体溶液填充到所述硅通孔TSV内，得到孔内填充有BCB前体溶液或孔壁上均匀附着BCB前体溶液的TSV硅片；将所述孔内填充有BCB前体溶液或孔壁上均匀附着BCB前体溶液的TSV硅片在常压或减压条件下除去溶剂，在所述硅通孔内侧壁上留下一层均匀的BCB前体；将所述硅通孔内侧壁上的BCB前体固化形成所述BCB树脂电介质层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于复旦大学，未经复旦大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210337342.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
