[发明专利]光掩模坯料、光掩模和制造方法有效
申请号: | 201210329820.6 | 申请日: | 2012-09-07 |
公开(公告)号: | CN102998894A | 公开(公告)日: | 2013-03-27 |
发明(设计)人: | 稻月判臣;五十岚慎一;西川和宏;吉川博树 | 申请(专利权)人: | 信越化学工业株式会社 |
主分类号: | G03F1/32 | 分类号: | G03F1/32 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 李跃龙 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种光掩模坯料、光掩模和制造方法。在包含透明衬底、含有过渡金属和硅的材料的光学膜、以及硬掩模膜的光掩模坯料中,硬掩模膜为多层膜,该多层膜包括含有20-60原子%氧的铬衬底料的第一层和含有至少50原子%铬和小于20原子%氧的铬衬底料的第二层。具有2.0nm至小于10nm厚度的硬掩模膜耐受氟干法蚀刻。 | ||
搜索关键词: | 光掩模 坯料 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种光掩模坯料,包含透明衬底、布置于该衬底上且由含有过渡金属和硅的材料构成的光学膜、以及用于精密加工光学膜的硬掩模膜,其中所述硬掩模膜为铬衬底料的多层膜,该多层膜包括邻接于光学膜布置的第一层和邻接于第一层设置的第二层,所述第一层由含有20‑60原子%氧的铬衬底料构成,且具有0.5nm至小于5.0nm的厚度,所述第二层由含有至少50原子%铬的铬衬底料构成,且其氧含量小于第一层,且所述硬掩模膜具有2.0nm至小于10nm的总厚度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于信越化学工业株式会社,未经信越化学工业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210329820.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:定位标记和图像形成装置
- 下一篇:一种水产品保活箱
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备