[发明专利]机械性刮伤检测的方法有效
| 申请号： | 201210328713.1 | 申请日： | 2012-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN103681392A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 戴腾;吴浩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种机械性刮伤检测的方法，该方法包括：提供无图形晶圆；在所述无图形晶圆上制备有机涂层，以形成有机涂层晶圆；将所述有机涂层晶圆进入所述疑似造成刮伤的反映腔或传送路径模拟工艺处理，以形成疑似刮伤晶圆；在所述疑似刮伤晶圆上制备厚度为5nm～50nm的抗氧化层，以形成抗氧化层晶圆；对所述抗氧化层晶圆进行氧化处理；对氧化处理后的所述抗氧化层晶圆进行缺陷检查。本发明的机械性刮伤检测的方法，能够将细小的刮伤灵敏的检测出来。 | ||
| 搜索关键词： | 机械 性刮伤 检测 方法 | ||
【主权项】：
一种机械性刮伤检测的方法，用于测试疑似造成刮伤的反应腔或传送路径，所述方法包括：提供无图形晶圆；在所述无图形晶圆上制备有机涂层，以形成有机涂层晶圆；将所述有机涂层晶圆进入所述疑似造成刮伤的反映腔或传送路径模拟工艺处理，以形成疑似刮伤晶圆；在所述疑似刮伤晶圆上制备厚度为5nm～50nm的抗氧化层，以形成抗氧化层晶圆；对所述抗氧化层晶圆进行氧化处理；对氧化处理后的所述抗氧化层晶圆进行缺陷检查，检查氧化处理后的所述抗氧化层晶圆是否存在刮伤，如存在刮伤，则确定所述疑似造成刮伤的反应腔或传送路径是造成刮伤的反应腔或传送路径，如不存在刮伤，则确定所述疑似造成刮伤的反应腔或传送路径不是造成刮伤的反应腔或传送路径。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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