[发明专利]一种半导体激光器的校准测试方法及其应用

摘要

本发明揭示了一种半导体激光器的校准测试方法，分别通过常温、高温下对各项参数包括输入、输出光功率、消光比、交叉点、波长、最佳灵敏度电压、信号丢失使能、信号恢复使能进行调试、然后对模块进行校准及数据处理和最后高温测试的对模块进行检测，其中在模块校准步骤先通过在常温时，分别对开、关半导体激光器模块状态下的参数值进行拟合，然后再结合高温状态下相关参数值进行拟合从而得出监控值与实际值之间的关系。同时，该方法也可适用于光模块的校准测试。本发明充分考虑了温度梯度带来的影响，解决了激光器跟踪误差,有效的提高了半导体激光器的校准精度。

主权项

一种半导体激光器的校准测试方法，所述半导体激光器包括分布式反射激光管芯，与分布式反射激光管芯输出端连接的背向光探测器，用于温度监控的热敏电阻及温度控制器；所述背向光探测器的输出端与电流取样电阻的输入端连接，所述电流取样电阻的输出端连接有一用于采集、监测信号的微处理器，所述热敏电阻与温度控制器均与微处理器连接，其特征在于：所述半导体激光器校准测试方法包括如下步骤：S1、半导体激光器温度校准；S2、常温状态下，微处理器判断S1中的校准后温度是否达到设定温度，否则等待，直至达到设定温度，所述常温指15℃‑30℃；S3、常温状态下，微处理器对半导体激光器模块开、关状态下模块光功率进行监控校准；S4、高温状态下，微处理器判断S1中的校准后温度是否达到设定温度，否则等待，直至达到设定温度，该设定温度与常温状态下设定温度一致，从而保证在不同环境温度下S1中的校准后温度保持一致，所述高温是指65℃‑85℃；S5、高温状态下，微处理器对半导体激光器进行监控校准，结合S3中的校准值进行校准。