[发明专利]一种IGBT模块的覆铜陶瓷基板结构有效
申请号: | 201210301567.3 | 申请日: | 2012-08-22 |
公开(公告)号: | CN102820277A | 公开(公告)日: | 2012-12-12 |
发明(设计)人: | 钟玉林;苏伟;孟金磊;温旭辉 | 申请(专利权)人: | 中国科学院电工研究所 |
主分类号: | H01L23/498 | 分类号: | H01L23/498;H01L23/15 |
代理公司: | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人: | 关玲 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种IGBT模块的覆铜陶瓷基板结构,所述的覆铜陶瓷基板的正面覆铜层包括流过主电流的铜箔(120、121、122)以及辅助控制极的铜箔(101、102,110、111)。所述的辅助控制极铜箔包括:辅助栅极控制铜箔(102、111)和辅助发射极控制铜箔(101、110)。IGBT的栅极控制端子(103)通过绑定线连接到IGBT的辅助栅极控制铜箔(102),并通过绑定线进一步连接到IGBT芯片的栅极焊盘(109)。IGBT的发射极控制端子(104)通过绑定线连接到IGBT的辅助发射极控制铜箔(101),并通过绑定线连接到与IGBT的发射极相连的主电流铜箔(120)。 | ||
搜索关键词: | 一种 igbt 模块 陶瓷 板结 | ||
【主权项】:
一种IGBT模块的覆铜陶瓷基板结构,其特征在于,所述的覆铜陶瓷基板为三层,中间一层为陶瓷层,正面和背面为覆铜层;所述的背面为整块覆铜,所述正面的覆铜层带有刻蚀的图形结构;所述正面的覆铜层还有窄带状的辅助控制极铜箔,所述的窄带状的辅助控制极铜箔用于与控制端子的连接。
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