[发明专利]用于对齐晶片以用于制造的系统和方法有效
申请号: | 201210297455.5 | 申请日: | 2012-08-20 |
公开(公告)号: | CN102956532A | 公开(公告)日: | 2013-03-06 |
发明(设计)人: | 刘刚;D·迈克尔 | 申请(专利权)人: | 考戈奈克斯股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 张欣 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 所描述的是用于对齐晶片以用于制造的基于计算机的方法和装置,包括计算机程序产品。从第一图像捕捉设备接收晶片的第一部分的第一图像。从第二图像捕捉设备接收晶片的第二部分的第二图像,其中图像捕捉设备变换式定义了第一图像捕捉设备和第二图像捕捉设备之间的第一关系。基于图像捕捉设备变换式、基准变换式、和被设置为标识晶片上的低对比度基准图案的阈值,第一图像中的第一基准图案和第二图像中的第二基准图案被标识,该基准变换式基于晶片的规格定义了第一基准图案和第二基准图案之间的第二关系。基于所标识出的第一和第二基准图案而确定晶片的对齐。 | ||
搜索关键词: | 用于 对齐 晶片 制造 系统 方法 | ||
【主权项】:
用于对齐太阳能晶片以用于制造的计算机化的方法,所述方法包括:通过计算设备,从第一图像捕捉设备,接收太阳能晶片的第一部分的第一图像,其中所述太阳能晶片包括一组基准图案,其中每一个基准图案的姿态是由所述晶片的规格所定义的;通过所述计算设备,从第二图像捕捉设备,接收所述太阳能晶片的第二部分的第二图像,其中图像捕捉设备变换式定义了所述第一图像捕捉设备和所述第二图像捕捉设备之间的第一关系;通过所述计算设备,基于下述而标识所述第一图像中的第一基准图案和所述第二图像中的第二基准图案:所述图像捕捉设备变换式;基准变换式,其基于所述规格而定义所述第一基准图案和所述第二基准图案之间的第二关系;和阈值,被设置为标识太阳能晶片上的低对比度基准图案;且通过所述计算设备,基于所标识出的所述第一基准图案和所述第二基准图案而确定所述太阳能晶片的对齐。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造