[发明专利]电容结构有效
| 申请号： | 201210295005.2 | 申请日： | 2008-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN102832194A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 杨明宗 | 申请（专利权）人： | 联发科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京万慧达知识产权代理有限公司 11111 | 代理人： | 于淼;杨颖 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种电容结构，包括：多个第一导线，平行设置于基底上的导电层中，上述多个第一导线彼此分离且分为第一电极群组与第二电极群组，第一电极群组的第一导线与第二电极群组的第一导线是交替设置的；绝缘层，形成于上述多个第一导线上并填入上述多个第一导线间的区域；第二导线，形成于上述绝缘层上并电性连接于第一电极群组的上述多个第一导线；第三导线，形成于上述绝缘层上并电性连接于上述第二电极群组的上述多个第一导线，以及第一过孔结构，形成于绝缘层中，包括多个过孔插栓，第一过孔结构对应多个第一导线其中之一。本发明的电容结构能具有更小的电容干扰，保证更稳定的工作。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 结构 | ||
【主权项】：
一种电容结构，包括：多个第一导线，平行设置于基底的导电层中，上述多个第一导线彼此分离且分为第一电极群组与第二电极群组，上述第一电极群组的第一导线与上述第二电极群组的第一导线是交替设置的；绝缘层，形成于上述多个第一导线上并填入上述多个第一导线间的区域；第二导线，形成于上述绝缘层上并电性连接于上述第一电极群组的第一导线；第三导线，形成于上述绝缘层上并电性连接于上述第二电极群组的第一导线；以及第一过孔结构，形成于上述绝缘层中，包括多个过孔插栓，上述第一过孔结构对应上述多个第一导线其中之一。
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