[发明专利]电容结构有效
申请号: | 201210295005.2 | 申请日: | 2008-09-09 |
公开(公告)号: | CN102832194A | 公开(公告)日: | 2012-12-19 |
发明(设计)人: | 杨明宗 | 申请(专利权)人: | 联发科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/522 | 分类号: | H01L23/522 |
代理公司: | 北京万慧达知识产权代理有限公司 11111 | 代理人: | 于淼;杨颖 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电容 结构 | ||
1.一种电容结构,包括:
多个第一导线,平行设置于基底的导电层中,上述多个第一导线彼此分离且分为第一电极群组与第二电极群组,上述第一电极群组的第一导线与上述第二电极群组的第一导线是交替设置的;
绝缘层,形成于上述多个第一导线上并填入上述多个第一导线间的区域;
第二导线,形成于上述绝缘层上并电性连接于上述第一电极群组的第一导线;
第三导线,形成于上述绝缘层上并电性连接于上述第二电极群组的第一导线;以及
第一过孔结构,形成于上述绝缘层中,包括多个过孔插栓,上述第一过孔结构对应上述多个第一导线其中之一。
2.如权利要求1所述的电容结构,其特征在于,还包括第二过孔结构,上述第二过孔结构包括多个过孔插栓,上述第二过孔结构对应上述多个第一导线其中之另一。
3.如权利要求2所述的电容结构,其特征在于,上述第二过孔结构的尺寸不同于上述第一过孔结构的尺寸。
4.如权利要求2所述的电容结构,其特征在于,上述第一过孔结构或上述第二过孔结构是2倍间距过孔或是4倍间距过孔。
5.如权利要求1所述的电容结构,其特征在于,更包括第四导线,设置于上述导电层中,围绕上述多个第一导线。
6.如权利要求5所述的电容结构,其特征在于,上述第四导线电性连接于上述基底。
7.如权利要求1所述的电容结构,其特征在于,更包括导电屏蔽层,形成于上述导电层与上述基底之间。
8.如权利要求7所述的电容结构,其特征在于,上述导电屏蔽层电性连接于上述第一电极群组与上述第二电极群组其中之一。
9.一种电容结构,包括:
多个第一导线,平行设置于基底上的导电层中,上述多个第一导线在上述导电层中彼此分离且分为第一电极群组与第二电极群组,上述第一电极群组的第一导线与上述第二电极群组的第一导线是交替设置的;
第二导线,设置于上述导电层中,以第一方向延伸,电性连接于上述第一电极群组的第一导线,同时以第二方向延伸,与第一电极群组的第一导线的另一端距离特定的距离;
绝缘层,形成于上述多个第一导线与上述第二导线上并填入上述多个第一导线间的区域;
第三导线,形成于上述绝缘层上并电性连接于上述第二电极群组的第一导线;
第四导线,形成于上述绝缘层上并电性连接于上述第一电极群组的第一导线;以及
第一过孔结构,形成于上述绝缘层中,包括多个过孔插栓,上述第一过孔结构对应上述多个第一导线其中之一。
10.如权利要求9所述的电容结构,其特征在于,还包括第二过孔结构,上述第二过孔结构包括多个过孔插栓,上述第二过孔结构对应上述多个第一导线其中之另一。
11.如权利要求10所述的电容结构,其特征在于,上述第二过孔结构的尺寸不同于比上述第一过孔结构的尺寸。
12.如权利要求11所述的电容结构,其特征在于,上述第一过孔结构或上述第二过孔结构是2倍间距过孔或是4倍间距过孔。
13.如权利要求9所述的电容结构,其特征在于,更包括第五导线,设置于上述导电层中,围绕上述多个第一导线。
14.如权利要求13所述的电容结构,其特征在于,上述第五导线电性连接于上述基底。
15.如权利要求9所述的电容结构,其特征在于,更包括导电屏蔽层,形成于上述导电层与上述基底之间。
16.如权利要求15所述的电容结构,其特征在于,上述导电屏蔽层是电性连接于上述第一电极群组与上述第二电极群组其中之一。
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