[发明专利]具有整流特性的阻变存储器器件及其制作法有效
| 申请号： | 201210284760.0 | 申请日： | 2012-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN103579499A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 刘明;李颖弢;龙世兵;刘琦;吕杭炳;杨晓一;孙鹏霄 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及微电子技术以及存储器器件技术领域，公开了一种具有自整流特性的阻变存储器器件及其制作方法。该阻变存储器器件结构包括：下电极、上电极、以及包含在下电极与上电极之间的阻变存储层。本发明提出的阻变存储器器件结构与制备工艺简单、制造成本低，并且在低阻态时具有整流特性，能够有效抑制读串扰问题。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 整流 特性 存储器 器件 及其 制作 | ||
【主权项】：
一种阻变存储器器件，其特征在于，该阻变存储器器件在低阻态时具有整流特性，包括：下电极；上电极；以及包含在下电极与上电极之间的阻变存储层。
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