[发明专利]镁镱铒三掺杂铌酸锂激光晶体及其制备方法无效
| 申请号： | 201210283677.1 | 申请日： | 2012-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN102797038A | 公开（公告）日： | 2012-11-28 |
| 发明（设计）人： | 张沛雄;杭寅;张连翰;戴根发;何明珠 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | C30B29/30 | 分类号： | C30B29/30;C30B15/20;H01S3/16 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 张泽纯 |
| 地址： | 201800 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种镁镱铒三掺杂铌酸锂激光晶体及其制备方法，属于单晶生长领域。该激光晶体采用提拉法生长，在晶体生长配方中初始原料为MgO，Yb2O3，Er2O3，Li2CO3和Nb2O5粉末，首先进行配料，混料和压料，接着进行块料烧结，然后放入提拉炉中进行生长，生长过程中遵循化料、下种、引晶、缩颈、放肩、等径生长、拉脱和退火步骤。最后对生长出来的晶体进行极化处理。本发明生长的镁镱铒三掺杂铌酸锂激光晶体具有较长的荧光寿命，较大的吸收和发射截面。该晶体有望在全固态中红外波段激光器中应用。 | ||
| 搜索关键词： | 镁镱铒三 掺杂 铌酸锂 激光 晶体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种镁镱铒三掺杂铌酸锂激光晶体，其特征在于该晶体的分子式为：EraYbbMgcLi6‑2a‑3b‑3c‑5dNbdO3,其中a为Er3+的掺杂浓度，其取值范围为0.1~1.5mol%；b为Yb3+的掺杂浓度，其取值范围为0.1~3mol%；c为Mg2+的掺杂浓度，其取值范围为0.1~5mol%；6‑2a‑3b‑3c‑5d和d为Li+和Nb5+的摩尔量百分比，满足(6‑2a‑3b‑3c‑5d)/d=0.942~0.960。
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