[发明专利]抑制浅沟槽隔离工艺中双峰效应的方法

摘要

本发明公开了一种抑制浅沟槽隔离工艺中双峰效应的方法,包括步骤：依次形成硬质掩模层；定义有源区并将有源区外部的硬质掩模层去除；进行离子注入将离子注入到有源区周侧的硅衬底中；进行热推阱将离子从有源区外部扩散到有源区的边缘区域中；进行浅沟槽刻蚀；在浅沟槽的表面形成第三氧化层；填充浅沟槽氧化层；对浅沟槽氧化层进行化学机械研磨。本发明方法通过在用硬质掩模层定义出有源区后，进行离子注入并进行热推阱工艺将注入在有源区外部的离子扩散到有源区的边缘区域中，能提高有源区边缘的掺杂浓度，从而能提高有源区边缘处的金属氧化物半导体器件的阈值电压，降低有源区边缘处器件漏电，能有效抑制浅沟槽隔离工艺中双峰效应。

主权项

一种抑制浅沟槽隔离工艺中双峰效应的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、在硅衬底表面形成依次形成第一层二氧化硅和第二层氮化硅；由所述第一层二氧化硅和所述第二层氮化硅组成硬质掩模层；步骤二、采用光刻工艺定义出有源区，采用刻蚀工艺将有源区外部的所述硬质掩模层去除，所述有源区表面上方的所述硬质掩模层保留；步骤三、以保留的所述硬质掩模层为掩模进行离子注入，该离子注入将离子注入到所述有源区周侧的所述硅衬底中，该离子注入的离子类型和形成金属氧化物半导体器件的沟道区的杂质类型相同；步骤四、进行热推阱，将步骤三注入的离子从所述有源区外部扩散到所述有源区的边缘区域中，从而提高有源区边缘的掺杂浓度，并提高有源区边缘处的金属氧化物半导体器件的阈值电压，用于抵消后续形成的浅沟槽氧化层对所述有源区边缘处形成的沟道区的掺杂浓度降低以及所述有源区边缘处上方的栅氧化层变薄的影响；步骤五、采用刻蚀工艺对所述有源区外部的所述硅衬底中的硅进行刻蚀，在所述有源区外部形成浅沟槽，所述有源区中的硅受所述硬质掩模层的保护而不被刻蚀；步骤六、在浅沟槽的底部表面和侧壁表面形成第三氧化层；步骤七、在所述浅沟槽中填充浅沟槽氧化层；步骤八、对所述浅沟槽氧化层进行化学机械研磨。