[发明专利]栅极多晶硅和多晶硅电阻集成制作方法

摘要

本发明公开了一种栅极多晶硅和多晶硅电阻集成制作方法，包括步骤：在硅衬底上依次形成栅介质层和第一层多晶硅；进行第一次离子注入形成多晶硅电阻的掺杂；在第一层多晶硅上形成第二层氧化；对第二层氧化硅进行刻蚀仅保留多晶硅电阻形成区域上的第二层氧化硅；进行离子注入形成栅极多晶硅的掺杂；在第一层多晶硅上形成钨硅层；依次对钨硅层和第一层多晶硅进行刻蚀。本发明中的栅极多晶硅和多晶硅电阻都是采用同一次生长的多晶硅形成，且是一次刻蚀工艺对同一多晶硅进行刻蚀形成栅极多晶硅和多晶硅电阻，所以本发明能减少工艺步骤，提高生产效率，降低生产成本。

主权项

一种栅极多晶硅和多晶硅电阻集成制作方法，用于实现由栅极多晶硅和钨硅层组成的栅极和多晶硅电阻的集成，所述栅极多晶硅包括N型栅极多晶硅和P型栅极多晶硅两种，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、提供一具有浅沟槽隔离结构的硅衬底，所述硅衬底的有源区由浅沟槽氧化层隔离；在所述硅衬底上依次形成栅介质层和第一层多晶硅；步骤二、对所述第一层多晶硅进行第一次离子注入，该第一次离子注入为全片注入，所述第一次离子注入形成所述多晶硅电阻的掺杂；步骤三、在所述第一层多晶硅上形成第二层氧化硅；步骤四、采用光刻刻蚀工艺定义出所述多晶硅电阻的图形结构并将所述多晶硅电阻形成区域外的所述第二层氧化硅去除、所述多晶硅电阻形成区域上的所述第二层氧化硅保留；步骤五、进行离子注入形成所述栅极多晶硅的掺杂，包括：步骤5a、采用光刻工艺定义出所述N型栅极多晶硅的区域，在该区域中进行N型离子注入形成所述N型栅极多晶硅的掺杂；步骤5b、采用光刻工艺定义出所述P型栅极多晶硅的区域，在该区域中进行P型离子注入形成所述P型栅极多晶硅的掺杂；步骤5a或步骤5b能放置于步骤二的所述第一次离子注入的前一步或者后一步进行、或者放置在步骤四的光刻刻蚀工艺的后一步进行；步骤六、在步骤二、步骤四和步骤五之后，在所述硅衬底正面生长钨硅层；在所述多晶硅电阻形成区域内所述钨硅层和所述第二层氧化硅接触、在所述多晶硅电阻形成区域外所述钨硅层和所述第一层多晶硅接触；步骤七、采用光刻工艺定义出所述栅极的形成区域并依次对所述钨硅层和所述第一层多晶硅进行刻蚀，所述栅极区域外的所述钨硅层全部去除、位于所述栅极区域外且为所述多晶硅电阻区域外的所述第一层多晶硅全部去除，刻蚀后的所述栅极多晶硅和其顶部的所述钨硅层相接触并组成所述栅极；所述多晶硅电阻区域内的所述第一层多晶硅受到所述第二层氧化硅的保护阻挡而不被刻蚀，由所述多晶硅电阻区域内保留的所述第一层多晶硅组成所述多晶硅电阻。