[发明专利]光栅耦合器制造方法以及半导体器件装置方法在审
| 申请号： | 201210261727.6 | 申请日： | 2012-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN102749680A | 公开（公告）日： | 2012-10-24 |
| 发明（设计）人： | 仇超 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/34 | 分类号： | G02B6/34;G02B6/124;G02B6/136 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种光栅耦合器制造方法以及半导体器件装置方法。根据本发明的光栅耦合器制造方法包括：有源区及光波导层制作过程，用于在制作光栅耦合器光波导层的同时形成MOS晶体管的有源区；多晶硅处理过程，用于在形成光栅耦合器的多晶硅覆盖层同时制造MOS晶体管的多晶硅栅极；以及光栅制造过程，用于制造光栅耦合器的光栅。根据本发明的光栅耦合器制造方法可有效地同时制造光栅耦合器以及CMOS电路，或者同时制造光栅耦合器以及MOS电路；并且，由于形成了具有多晶硅覆盖的光栅耦合器，提高了光栅耦合器的耦合效率。 | ||
| 搜索关键词： | 光栅 耦合器 制造 方法 以及 半导体器件 装置 | ||
【主权项】：
一种光栅耦合器制造方法，其特征在于包括：有源区及光波导层制作过程，用于在制作光栅耦合器光波导层的同时形成MOS晶体管的有源区；多晶硅处理过程，用于在形成光栅耦合器的多晶硅覆盖层同时制造MOS晶体管的多晶硅栅极；以及光栅制造过程，用于制造光栅耦合器的光栅。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海宏力半导体制造有限公司，未经上海宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210261727.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：基于双光比色的红外AOD炉测温光路系统
- 下一篇：快热式电热水器
