[发明专利]光栅耦合器制造方法以及半导体器件装置方法

权利要求书

1.一种光栅耦合器制造方法，其特征在于包括：

有源区及光波导层制作过程，用于在制作光栅耦合器光波导层的同时形成MOS晶体管的有源区；

多晶硅处理过程，用于在形成光栅耦合器的多晶硅覆盖层同时制造MOS晶体管的多晶硅栅极；以及

光栅制造过程，用于制造光栅耦合器的光栅。

2.根据权利要求1所述的光栅耦合器制造方法，其特征在于，所述有源区及光波导层处理过程包括：

掩膜层形成步骤，用于在顶硅层上形成掩膜层；

顶硅层刻蚀步骤，用于利用形成图案的掩膜层来刻蚀顶硅层，其中所述图案对应于MOS器件的有源区和光波导；

二氧化硅层沉积步骤，用于在顶硅层刻蚀步骤之后得到的结构上形成二氧化硅层，并且利用所沉积的二氧化硅填充顶硅层刻蚀步骤中在刻蚀顶硅层中刻蚀出的凹槽；

平坦化步骤，用于去除所述二氧化硅层；以及

掩膜层去除步骤，用于去除所述掩膜层。

3.根据权利要求1或2所述的光栅耦合器制造方法，其特征在于，所述多晶硅处理过程包括：

氧化物层形成步骤，用于在经过有源区及光波导层处理过程之后的结构上形成氧化物层，所述氧化物层用作M OS晶体管的栅极氧化物层；

多晶硅层形成步骤，用于在所述氧化物层上形成多晶硅层，所述多晶硅层用作MOS晶体管的多晶硅栅极；以及

多晶硅层刻蚀步骤，用于对所述氧化物层进行刻蚀以形成M OS晶体管的多晶硅栅极以及所述光栅耦合器的光栅区域。

4.根据权利要求3所述的光栅耦合器制造方法，其特征在于，所述光栅制造过程包括：

对所述光栅区域进行刻蚀以在所述光栅区域中形成光栅，由此形成多晶硅光栅耦合器；并且，光栅区域刻蚀步骤同时对顶部硅层进行了刻蚀。

5.根据权利要求2所述的光栅耦合器制造方法，其特征在于，所述掩膜层是氮化硅层，或者所述掩模层采用二氧化硅CMOS工艺中的材料。

6.根据权利要求4所述的光栅耦合器制造方法，其特征在于，所述光栅区域刻蚀步骤刻蚀了几十纳米的顶部硅层。

7.一种光栅耦合器制造方法，其特征在于采用了根据权利要求1至6之一所述的光栅耦合器制造方法。