[发明专利]基于原位应力控制的III族氮化物厚膜自分离方法有效
| 申请号： | 201210256655.6 | 申请日： | 2012-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN102817074A | 公开（公告）日： | 2012-12-12 |
| 发明（设计）人： | 马志芳;杨志坚;张国义;李丁;吴洁君;贾传宇;陈志忠;于彤军;康香宁;胡晓东;秦志新;龙浩 | 申请（专利权）人： | 北京燕园中镓半导体工程研发中心有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/16 | 分类号： | C30B25/16;C30B29/38 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人： | 李稚婷 |
| 地址： | 100080 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于原位应力控制的III族氮化物厚膜自分离方法，在适当的退火条件下，对生长于衬底上的III族氮化物厚膜逐渐升高温度，同时利用在位应力监测系统监测其应力，当应力状态由负应力转变为正应力后，在高温下保持一段时间，然后逐渐降低温度，应力由正应力转变为负应力，循环重复该升温至降温的过程，直至III族氮化物厚膜与衬底分离。本发明通过热循环条件的调节，实现厚膜材料在特定位置的应力集中，在不断的应力正负切换过程中，使厚膜的特定位置发生形变，降低了特定位置界面结合强度，从而实现了厚膜自分离，可运用于GaN厚膜的分离，工艺简单可控，具有良好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 原位 应力 控制 iii 氮化物 分离 方法 | ||
【主权项】：
一种III族氮化物厚膜自分离方法，在以氮气和/或氢气为载气，氨气为保护气体，压力1‑2500Torr的条件下，对生长于衬底上的III族氮化物厚膜逐渐升高温度，同时利用在位应力监测系统监测其应力，当应力状态由负应力转变为正应力后，在高温下保持一段时间，然后逐渐降低温度，应力由正应力转变为负应力，循环重复该升温至降温的过程，直至III族氮化物厚膜与衬底分离。
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