[发明专利]场终止绝缘栅双极型晶体管的制备方法有效
| 申请号： | 201210250474.2 | 申请日： | 2012-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN103578981A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 张硕;芮强;王根毅;邓小社 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 唐立;王忠忠 |
| 地址： | 214028 中国无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种场终止绝缘栅双极型晶体管的制备方法，属于绝缘栅双极型晶体管（IGBT）技术领域。该制备方法中，包括步骤：提供已经基本形成场终止绝缘栅双极型晶体管的正面结构的晶片；在所述晶片的正面结构上沉积正面保护层；将所述晶片翻转使其背面朝向正面注入机，并使用该正面注入机对所述晶片的背面的场终止层进行离子注入掺杂以形成集电极层；以及去除所述正面保护层。该制备方法中可以使用正面注入机实现集电极层的离子注入，使其容易与前道工艺线兼容，并且FS-IGBT的正面结构得到有效保护，FS-IGBT的良率和可靠性高。 | ||
| 搜索关键词： | 终止 绝缘 栅双极型 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种场终止绝缘栅双极型晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供已经基本形成场终止绝缘栅双极型晶体管的正面结构的晶片；在所述晶片的正面结构上沉积正面保护层；将所述晶片翻转使其背面朝向正面注入机，并使用该正面注入机对所述晶片的背面的场终止层进行离子注入掺杂以形成集电极层；以及去除所述正面保护层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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