[发明专利]改善沟槽型IGBT 栅极击穿能力的制备方法

摘要

本发明公开了一种改善沟槽型IGBT栅极击穿能力的制备方法，包括步骤：1）在N型硅片上淀积二氧化硅作为硬掩膜后，通过光罩定义出深沟槽的图案，刻蚀，将硬掩膜打开；2）将硬掩膜打开的区域进行湿法各向异性刻蚀；3）采用干法刻蚀，形成深沟槽；4）湿法刻蚀去除剩余的硬掩膜；5）在深沟槽内，依次沉积氧化硅和掺杂多晶硅作为栅极，然后通过光刻和刻蚀工艺形成栅极；6）在N型硅片上，形成P型区和N型区后，通过连接形成发射极；7）在硅片背面形成集电极。本发明能避免栅极加电压时电场集中，优化器件的栅极击穿能力，同时维持器件的其它电性能不变。

主权项

一种改善沟槽型IGBT栅极击穿能力的制备方法，其特征在于，包括步骤：1）在作为衬底的N型硅片上，淀积一层二氧化硅作为硬掩膜后，通过一层光罩定义出深沟槽的图案，刻蚀，将硬掩膜打开；2）将硬掩膜打开的区域进行湿法各向异性刻蚀；3）采用干法刻蚀，形成深沟槽；4）采用湿法刻蚀，去除剩余的硬掩膜；5）在深沟槽内，依次沉积一层氧化硅和掺杂多晶硅作为栅极，然后通过光刻和干法刻蚀工艺形成栅极；6）在N型硅片上，依次利用2次离子注入分别形成P型区和N型区后，通过金属连接形成发射极；7）在整个N型硅片表面淀积一层或多层绝缘介质膜，然后通过光刻和干法刻蚀工艺形成钝化保护层；然后，将N型硅片反转，进行硅片背面减薄，硅片背面P型离子注入和蒸金，在硅片背面形成集电极。