[发明专利]金属基片垂直GaN基LED芯片及其制备方法

摘要

本发明公开了一种金属基片垂直GaN基LED芯片及其制备方法，所述LED芯片由金属基片，AlxGayIn1-x-yN缓冲层，未掺杂AlxGayIn1-x-yN层，n型掺杂AlxGayIn1-x-yN层，InxGa1-xN/GaN多量子阱MQW层，p型掺杂AlxGa1-x-N层，p型掺杂AlxGayIn1-x-yN层，n+重掺杂型AlxGayIn1-x-yN层和氧化铟锡ITO层复合沉积构成，在氧化铟锡ITO层表面还有Ni/Au电极层；所述制备方法的步骤依次包括置料，等离子体清洗，氮化处理，制备缓冲层，制备未掺杂层，制备n型掺杂层，制备多量子阱层，制备p型掺杂层，制备第二p型掺杂层，制备n+重掺杂型层和氧化铟锡层以及电极层；所述芯片具有结构合理、光谱范围广等特点，而所述制备方法具有工艺合理、低温环保、制成品质量好、制备成本低等特点。

主权项

一种金属基片垂直GaN 基LED芯片，包括金属基片（1），其特征在于，在金属基片（1）的一侧表面，由内到外依次有AlxGayIn1‑x‑yN缓冲层（2），未掺杂AlxGayIn1‑x‑yN层（3），n型掺杂AlxGayIn1‑x‑yN层（4），InxGa1‑xN/GaN多量子阱MQW层（5），p型掺杂AlxGa1‑xN层（6），p型掺杂AlxGayIn1‑x‑yN层（7），n+重掺杂型AlxGayIn1‑x‑yN层（8），氧化铟锡ITO层（9）；在氧化铟锡ITO层（9）的表面有Ni/Au电极层（10）。