[发明专利]半导体集成电路

摘要

本发明提供一种即使电源的启动慢也稳定地动作的半导体集成电路。使P沟道MOS晶体管（MP1）的源极电极（S）与电源连接，使其漏极电极（D）与耗尽型晶体管（ND1）的漏极电极（D）连接。并且，设置借助电阻（R1）使耗尽型晶体管（ND1）的源极电极（S）为电位VSS，并且使P沟道MOS晶体管与耗尽型晶体管双方的栅极电极（G）为电位VSS的电源起动电路部（11）。而且，构成为：使P沟道MOS晶体管（MP1）的漏极电极（D）与耗尽型晶体管（ND1）的漏极电极（D）的相互连接点作为恒流电路部（12）以及启动电路部（14）的电源节点，向恒流电路部（12）以及启动电路部（14）供给动作电源。

主权项

一种半导体集成电路，其特征在于，具备：恒流电路，其包括：第1电流镜电路，其由第1晶体管以及第2晶体管构成；和第2电流镜电路，其由与流入来自所述第1晶体管的电流的第1节点连接的第3晶体管、以及与流入来自所述第2晶体管的电流的第2节点连接的第4晶体管构成；启动电路，其包括：将所述第1节点的电位作为控制电压的第6晶体管；与流入来自所述第6晶体管的电流的第3节点连接，且使栅极电极为接地电位的第7晶体管；与流入来自所述第7晶体管的电流的第4节点连接的静电电容元件；和将所述第4节点的电位作为控制电压，经由所述第2节点向所述恒流电路供给起动电流的第5晶体管；以及电源起动电路，其包括将源极电极固定为电源电压，且使栅极电极为接地电位，通过漏极电极向所述恒流电路以及所述启动电路供给电源的第8晶体管。